光電子薄膜分為:導(dǎo)電薄膜(金屬導(dǎo)電膜、透明導(dǎo)電ITO薄膜);光電導(dǎo)薄膜(CdS與CdSe薄膜、α-Si:H薄膜);電致發(fā)光薄膜(ZnS:Mn薄膜、有機(jī)電致發(fā)光薄膜);電致變色薄膜(WO3薄膜);液晶薄膜.

今天我們針對(duì)導(dǎo)電薄膜做下介紹：

導(dǎo)電薄膜在光電子薄膜元件以及集成電路中的應(yīng)用非常廣泛.它是主要的負(fù)極薄膜、導(dǎo)線薄膜.一般對(duì)負(fù)極薄膜的要求是：

1、導(dǎo)電性好,方內(nèi)阻小;

2、與基片或前層薄膜的附著力好;

3、接觸內(nèi)阻小;

4、容易進(jìn)行微細(xì)加工;

5、具有良好的沖壓功耗;

6、穩(wěn)定性好.

金屬導(dǎo)電薄膜:

特點(diǎn):良好的導(dǎo)電功耗,反射率高.

材料:金、鋁、銀

金:最理想的導(dǎo)電特征,可見市吸收大,遠(yuǎn)紅外高反射,基板的附著性較多;銀:可見縣具備很高的反射率,導(dǎo)電性好,與基板的附著力較多:

鋁:可見縣有較高的反射率,導(dǎo)電性良好電子膜,與基板的附著性較差.

透明導(dǎo)電薄膜(ITO):

透明導(dǎo)電薄膜因同時(shí)具備可見波譜范圍內(nèi)透明跟良好的導(dǎo)電性而廣泛地應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域:窗口的透明隔熱薄膜、透明負(fù)極等.

近年來各類氧化物半導(dǎo)體薄膜遭到注重,其中最具備代表性的是In2O3·SnO2薄膜,簡(jiǎn)稱ITO薄膜(Indium tin oxide).

In2O3跟SnO2屬于氧化物砷化鎵,具有類似于砷化鎵的性質(zhì).在In2O3中摻入少量的SnO2電子膜,可使?jié)岫裙牡玫骄徑?

ITO薄膜的特征:

1、ITO薄膜中的SnO2濃度通常為8-9%;

2、ITO薄膜的電阻率隨膜厚提高而增大;

3、In2o3的禁帶為4eV,吸收邊在310m附近,摻雜后吸收半徑移,般但紫外縣;4、透明縣,光子的能量不足以讓價(jià)電子子迸發(fā),雜質(zhì)、載流子吸收跟衍射耗損;5、ITO薄膜的純化:濺射法、CVD法、反應(yīng)蒸發(fā)法:

電子束:200℃-300℃、2-3nm/min、充氧1.3*10-Pa、100-200nm6、影響電阻率跟透射率:基板體溫、蒸發(fā)速度、膜厚、老化.